សៀគ្វីកម្មវិធីបញ្ជា semiconductor ថាមពលគឺជាប្រភេទរងដ៏សំខាន់នៃសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា ដែលមានថាមពលខ្លាំង ប្រើសម្រាប់ IGBT driver ICs បន្ថែមពីលើការផ្តល់នូវកម្រិត drive និងចរន្ត ជាញឹកញាប់មានមុខងារការពារ drive រួមទាំងការការពារសៀគ្វីខ្លី desaturation, undervoltage shutdown, Miller clamp, two-stage shutdown , ការបិទទន់, SRC (slew rate control) ជាដើម។ ផលិតផលក៏មានកម្រិតផ្សេងគ្នានៃដំណើរការអ៊ីសូឡង់ផងដែរ។ទោះយ៉ាងណាក៏ដោយ ជាសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា កញ្ចប់របស់វាកំណត់ការប្រើប្រាស់ថាមពលអតិបរមា ចរន្តទិន្នផល IC កម្មវិធីបញ្ជាអាចមានច្រើនជាង 10A ក្នុងករណីខ្លះ ប៉ុន្តែនៅតែមិនអាចបំពេញតម្រូវការបើកបរនៃម៉ូឌុល IGBT បច្ចុប្បន្នខ្ពស់ អត្ថបទនេះនឹងពិភាក្សាអំពីការបើកបរ IGBT ការពង្រីកបច្ចុប្បន្ននិងបច្ចុប្បន្ន។
វិធីពង្រីកចរន្តរបស់អ្នកបើកបរ
នៅពេលដែលចរន្តដ្រាយត្រូវការកើនឡើង ឬនៅពេលបើកបរ IGBTs ជាមួយនឹងចរន្តខ្ពស់ និងសមត្ថភាពច្រកទ្វារធំ វាចាំបាច់ក្នុងការពង្រីកចរន្តសម្រាប់ IC របស់អ្នកបើកបរ។
ការប្រើប្រាស់ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ bipolar
ការរចនាធម្មតាបំផុតនៃកម្មវិធីបញ្ជាច្រកទ្វារ IGBT គឺដើម្បីដឹងពីការពង្រីកបច្ចុប្បន្នដោយប្រើអ្នកដើរតាម emitter បំពេញបន្ថែម។ចរន្តលទ្ធផលនៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រអ្នកដើរតាម emitter ត្រូវបានកំណត់ដោយការកើនឡើង DC នៃ transistor hFE ឬ β និងចរន្តមូលដ្ឋាន IB នៅពេលដែលចរន្តដែលត្រូវការដើម្បីជំរុញ IGBT ធំជាង IB*β នោះត្រង់ស៊ីស្ទ័រនឹងចូលទៅក្នុងកន្លែងធ្វើការលីនេអ៊ែរ និងទិន្នផល។ ចរន្តនៃដ្រាយគឺមិនគ្រប់គ្រាន់ទេ បន្ទាប់មកល្បឿននៃការសាកថ្ម និងការបញ្ចេញថាមពលរបស់ IGBT capacitor នឹងកាន់តែយឺត ហើយការខាតបង់ IGBT កើនឡើង។
ការប្រើប្រាស់ MOSFET
MOSFETs ក៏អាចត្រូវបានប្រើសម្រាប់ការពង្រីកបច្ចុប្បន្ននៃកម្មវិធីបញ្ជាសៀគ្វីជាទូទៅត្រូវបានផ្សំដោយ PMOS + NMOS ប៉ុន្តែកម្រិតតក្កវិជ្ជានៃរចនាសម្ព័ន្ធសៀគ្វីគឺផ្ទុយពីត្រង់ស៊ីស្ទ័ររុញ - ទាញ។ការរចនានៃបំពង់ខាងលើ PMOS ត្រូវបានភ្ជាប់ទៅនឹងការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលវិជ្ជមាន ច្រកទ្វារគឺទាបជាងប្រភពនៃវ៉ុលដែលបានផ្តល់ឱ្យ PMOS ហើយទិន្នផល IC របស់អ្នកបើកបរជាទូទៅបើកកម្រិតខ្ពស់ ដូច្នេះការប្រើប្រាស់រចនាសម្ព័ន្ធ PMOS + NMOS អាចត្រូវការ Inverter នៅក្នុងការរចនា។
ជាមួយនឹង transistors bipolar ឬ MOSFETs?
(1) ភាពខុសគ្នានៃប្រសិទ្ធភាព ជាធម្មតានៅក្នុងកម្មវិធីដែលមានថាមពលខ្ពស់ ប្រេកង់ប្តូរគឺមិនខ្ពស់ខ្លាំងទេ ដូច្នេះការបាត់បង់ចរន្តគឺសំខាន់នៅពេលដែលត្រង់ស៊ីស្ទ័រមានអត្ថប្រយោជន៍។ការរចនាដង់ស៊ីតេថាមពលខ្ពស់នាពេលបច្ចុប្បន្នជាច្រើនដូចជា ម៉ូទ័រអេឡិចត្រិច ម៉ូទ័រអេឡិចត្រិច ដែលជាកន្លែងដែលការសាយភាយកំដៅមានភាពលំបាក និងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់នៅក្នុងប្រអប់បិទជិត នៅពេលដែលប្រសិទ្ធភាពមានសារៈសំខាន់ខ្លាំងណាស់ ហើយសៀគ្វីត្រង់ស៊ីស្ទ័រអាចត្រូវបានជ្រើសរើស។
(2) ទិន្នផលនៃដំណោះស្រាយត្រង់ស៊ីស្ទ័រ bipolar មានការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងដែលបណ្តាលមកពី VCE(sat) តង់ស្យុងផ្គត់ផ្គង់ត្រូវកើនឡើងដើម្បីទូទាត់សងសម្រាប់ drive tube VCE(sat) ដើម្បីសម្រេចបាននូវ drive voltage 15V ខណៈពេលដែលដំណោះស្រាយ MOSFET ស្ទើរតែអាចសម្រេចបាននូវទិន្នផលផ្លូវដែកទៅផ្លូវដែក។
(3) MOSFET ទប់ទល់នឹងវ៉ុល, VGS ប្រហែល 20V ប៉ុណ្ណោះដែលអាចជាបញ្ហាដែលត្រូវការការយកចិត្តទុកដាក់នៅពេលប្រើការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលវិជ្ជមាននិងអវិជ្ជមាន។
(4) MOSFETs មានមេគុណសីតុណ្ហភាពអវិជ្ជមាននៃ Rds(on) ខណៈពេលដែល transistors bipolar មានមេគុណសីតុណ្ហភាពវិជ្ជមាន ហើយ MOSFETs មានបញ្ហាកម្ដៅនៅពេលភ្ជាប់ស្របគ្នា។
(5) ប្រសិនបើបើកបរ Si/SiC MOSFETs ល្បឿនប្តូរនៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រ bipolar ជាធម្មតាយឺតជាងវត្ថុបើកបរ MOSFETs ដែលគួរតែត្រូវបានចាត់ទុកថាប្រើ MOSFETs ដើម្បីពង្រីកចរន្ត។
(6) ភាពរឹងមាំនៃដំណាក់កាលបញ្ចូលទៅ ESD និងវ៉ុលកើនឡើង ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ bipolar PN junction មានអត្ថប្រយោជន៍យ៉ាងសំខាន់បើប្រៀបធៀបទៅនឹង MOS gate oxide ។
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ Bipolar និងលក្ខណៈ MOSFET មិនដូចគ្នាទេ អ្វីដែលត្រូវប្រើ ឬអ្នកត្រូវសម្រេចចិត្តដោយខ្លួនឯង ស្របតាមតម្រូវការនៃការរចនាប្រព័ន្ធ។
ការពិតរហ័សអំពី NeoDen
① បង្កើតឡើងក្នុងឆ្នាំ 2010 បុគ្គលិក 200+ 8000+ Sq.m.រោងចក្រ។
② ផលិតផល NeoDen៖ ម៉ាស៊ីន PNP ស៊េរី Smart, NeoDen K1830, NeoDen4, NeoDen3V, NeoDen7, NeoDen6, TM220A, TM240A, TM245P, reflow oven IN6, IN12, Solder paste printer FP20436, PM
③ អតិថិជនជោគជ័យ 10000+ នៅជុំវិញពិភពលោក។
④ ភ្នាក់ងារសកលចំនួន 30+ ដែលគ្របដណ្តប់នៅអាស៊ី អឺរ៉ុប អាមេរិក អូសេអានី និងអាហ្វ្រិក។
⑤ មជ្ឈមណ្ឌល R&D៖ នាយកដ្ឋាន R&D ចំនួន 3 ដែលមានវិស្វករ R&D ជំនាញ 25+។
⑥ ចុះបញ្ជីជាមួយ CE និងទទួលបានប៉ាតង់ 50+ ។
⑦ វិស្វករគ្រប់គ្រងគុណភាព និងជំនួយបច្ចេកទេស 30+ ការលក់អន្តរជាតិជាន់ខ្ពស់ 15+ ការឆ្លើយតបទាន់ពេលវេលារបស់អតិថិជនក្នុងរយៈពេល 8 ម៉ោង ដំណោះស្រាយប្រកបដោយវិជ្ជាជីវៈផ្តល់ក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង។
ពេលវេលាផ្សាយ៖ ឧសភា-១៧-២០២២